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田口 光正; 早野 一樹*; Xu, Y.; 森山 正洋*; 小林 泰彦; 平塚 浩士*; 大野 新一*
Radiation Physics and Chemistry, 60(4-5), p.263 - 268, 2001/03
被引用回数：16 パーセンタイル：73.13(Chemistry, Physical)フェニルアラニン水溶液へNeイオン照射を行い、OHラジカルとフェニルアラニンとの反応によって生成する3種類のチロシンをHPLCによって定量分析した。イオンが止まるまでの全チロシン生成量と、入射エネルギーとの関係から微分G値(イオンのエネルギーとともに連続的に変化するG値)が求められた。微分G値は300~500eV/nmのLETでは
線よりも大きな値を示すが、LETの増加に伴いその値が減少することがわかった。
大野 新一*; 古川 勝敏; 田口 光正; 小嶋 拓治; 渡辺 宏
Radiation Physics and Chemistry, 60(4-5), p.259 - 262, 2001/03
被引用回数：5 パーセンタイル：38.96(Chemistry, Physical)気体試料へのイオン照射による電離量分布測定の結果得られたイオンの飛跡周りの空間的な線量分布を解析することにより、水中を走る重イオンの2次電子による径方向のエネルギー付与を統一的にまとめることができた。線または電子線照射した場合の生成G値の線量依存性をトラック内の線量分布に適用する。生成物量を半径0~
にわたって積分することによって種々のイオン照射によるG値を見積もる。フリッケ線量計とアラニン線量計について、本手法により得られた結果と実験値とを比較する。
平尾 敏雄; 伊藤 久義; 岡田 漱平; 梨山 勇*
Radiation Physics and Chemistry, 60(4-5), p.269 - 272, 2001/03
被引用回数：5 パーセンタイル：38.96(Chemistry, Physical)半導体素子に高エネルギーを持ったイオンが入射した時、そのイオンの飛跡に沿って生じる高密度電離によってアップセット、ラッチアップと呼ばれるシングルイベント現象が引き起こされる。現在これらの現象を解明し、シングルイベント耐性強化への指針を得るために、重イオンマイクロビームを用いて半導体に誘起されるシングルイベント過渡電流の評価を行っている。照射試料としてはガリウム砒素ショットキーダイオードを用い、炭素及びシリコンイオンを照射した際に発生するシングルイベント過渡電流波形を計測した。その結果、発生する電荷量は理論値より1.2~3倍高く、ファネリングによる電荷収集が顕著であることが確認できた。またガリウム砒素試料で得られた収集電荷量は、シリコンダイオードの約半分の低い値が得られた。一方、イオン損傷については、シリコンダイオードと比較し、同じ照射量でもガリウム砒素ダイオードの過渡電流波形の低下は著しく、損傷の度合いは2倍程度大きいことが示唆された。得られた結果に基づき、ガリウム砒素素子とシリコン素子のシングルイベント現象の相違について議論する。
小野田 忍*; 森 英喜*; 岡本 毅*; 平尾 敏雄; 伊藤 久義; 岡田 漱平
Radiation Physics and Chemistry, 60(4-5), p.377 - 380, 2001/03
被引用回数：8 パーセンタイル：52.3(Chemistry, Physical)宇宙環境で使用される半導体デバイスは、線や電子線によって電気特性が劣化することが知られている。半導体デバイスの中でも光デバイスは高速通信や機器間の信号伝達に有用であることから、人工衛星への積極的な搭載が図られている。このような光デバイスの耐放射線性を向上させる指針を得るために、シリコンフォトダイオード及びガリウム砒素LED(Light Emittng Diode)に線及び電子線を照射し、照射前後のI-V特性の変化を半導体直流パラメータ解析装置(YHP製、4145A)を用いて測定した。線量率効果を調べるため、8.8Gy(Si)/hから8800Gy(Si)/hの広い線量率範囲で線照射を行った。また、電子線照射では線量率を8.3
10
Gy(Si)/hとした。線及び電子線の吸収線量は最大8.010Gy(Si)まで照射した。その結果、シリコンフォトダイオードの場合、動作点での暗電流は照射前に数十pA程度であるが8.010Gy(Si)まで照射すると約2桁増加することがわかり、暗電流が照射線量の約1/2乗に比例して増加することがわかった。一方、ガリウム砒素LEDは、動作点での電流の増加量が1.5倍にとどまった。さらに、線量率依存性はほとんど見られず、シリコンフォトダイオード及びガリウム砒素LEDともに、吸収線量率が異なっても吸収線量が同じであれば電流の増加量はほぼ等しいという結果が得られた。本実験で得られた光デバイスに対する電気特性の劣化を欠陥生成過程に基づき議論する。
-irradiation on positronium formation in polyethylene平出 哲也; 熊田 高之
Radiation Physics and Chemistry, 60(4-5), p.541 - 544, 2001/03
被引用回数：17 パーセンタイル：74.75(Chemistry, Physical)ポリエチレン、ポリプロピレン等の高分子中で陽電子消滅寿命測定によりポジトロニウム(Ps)形成収率を測定すると時間の経過とともに収率が低下してくることが知られている。これは入射陽電子による照射効果であることがわかっているが、その機構は未解明である。この現象を詳細に研究し、照射による酸化、照射によるラジカル形成ともにPs形成収率の低下の原因でない可能性が高いことがわかり、照射による高分子の物理構造の変化、特に局所的な状態変化により起こっている可能性が高いことを示した。
前川 雅樹; 近藤 政和*; 岡田 漱平; 河裾 厚男; 伊藤 久義
Radiation Physics and Chemistry, 60(4-5), p.525 - 528, 2001/03
被引用回数：3 パーセンタイル：27.07(Chemistry, Physical)高温・高圧などの極限環境下で材料における欠陥集合過程や構造変化を観察するために極めて有効な高時間分解能陽電子ビームの形成を目指し、高速短パルス陽電子ビーム形成装置の開発を進めている。これまでに電子銃を用いた動作試験を行い、最小パルス幅として150psが得られているが、周期的なパルス列の確認までには至っていない。これは測定系のデッドタイムが長いことに起因すると考えられるため、測定系を改善し、サンプリングオシロスコープを用いてパルス波形の直接観測を行った。この結果、サブハーモニックバンチャーにより5.6ns周期(178.5MHz)にパルス化された成分に、RF加熱による幅150~200psのファインパルス列が重畳したものがビームの時間構造として取得できた。バンチングビームは、3周期程度のファインパルス(サテライトパルス)が重なっており、また5.6ns間隔のパルス列の間にもバックグラウンドとなるサテライトパルスが存在することが確認された。これらのサテライトパルスは実際の陽電子寿命測定では測定精度やS/N比の低下の原因となる。高精度な寿命測定を行うためには、チョッパー駆動の最適化を図り、サイライトパルスを除去する必要がある。現在チョッパーの改良を行い、シングルファインパルスビームの生成を進めている。
森 英喜*; 平尾 敏雄; 小野田 忍*; 伊藤 久義; 岡田 漱平; 岡本 毅*; 小泉 義晴*
Radiation Physics and Chemistry, 60(4-5), p.273 - 276, 2001/03
被引用回数：1 パーセンタイル：11.99(Chemistry, Physical)人工衛星に搭載する半導体素子のシングルイベント耐性強化には、素子を構成する要素回路の耐性を個々に調べ、耐性が低い回路を選別して改善を図るのが有効である。このためには、宇宙線と同等なLETを有する高エネルギー重イオンを微小化し、目的とする素子要素回路に照射する必要がある。そこでわれわれは、マイクロコリメータを用いた高エネルギー重イオンマイクロビームの形成を試みた。直径が100
m及び20mのマイクロコリメータ通過後のビーム形状を16M bit DRAMを用いたビームプロファイルモニタで、エネルギースペクトルを半導体検出器(SSD)で評価した結果、20mコリメータ使用時は散乱成分が多いものの、100mコリメータでは散乱成分がほとんどない良質の微小ビームの形成が確認できた。
出崎 亮*; 成澤 雅紀*; 岡村 清人*; 杉本 雅樹; 森田 洋右; 瀬口 忠男; 伊藤 正義*
Proceedings of International Symposium on Prospect for Application of Radiation towards the 21st Century, p.139 - 140, 2000/03
これまでに、ポリカルボシランとポリビニルシランをブレンドしたポリマーから、電子線不融化を用いて、細径SiC繊維が合成されることが明らかになっているが、その際のSiC収率がポリカルボシランから合成されるものよりも低いという問題があった。そこで、このブレンドポリマーに高線量の電子線を照射して不融化すると、SiC収率が増加することが明らかになった。また、電子線照射後、ESR測定・ガス分析を行い、照射時に起こる反応について考察した。
大島 明博; 宇田川 昂; 森田 洋右
Proceedings of International Symposium on Prospect for Application of Radiation towards the 21st Century, p.83 - 84, 2000/00
放射線架橋ポリテトラフルオロエチレン(RX-PTFE)を繊維強化複合材料の母材とする材料を試作し、その特性を評価した。基材繊維には、東レのT-300炭素繊維の平織りの織物を用いた。得られた炭素繊維強化RX-PTFEの三点曲げ強度ならびに弾性率は、それぞれ138MPa,28.4GPaであった。
